ไทย - ติดธง ไทย

โปรดยืนยันสกุลเงินที่คุณเลือก:

บาท
Incoterms:FCA (ระบุสถานที่จัดส่ง)
ภาษี, ภาษีศุลกากรและภาษีอื่น ๆ จะได้รับการจัดเก็บเมื่อรับสินค้า
ฟรีค่าจัดส่ง เมื่อสั่งซื้อมากกว่า ฿1,600 (THB)

ดอลลาร์สหรัฐ
Incoterms:FCA (ระบุสถานที่จัดส่ง)
ภาษี, ภาษีศุลกากรและภาษีอื่น ๆ จะได้รับการจัดเก็บเมื่อรับสินค้า
ฟรีค่าจัดส่ง เมื่อสั่งซื้อมากกว่า $50 (USD)

Bench Talk for Design Engineers

Bench Talk

rss

Bench Talk for Design Engineers | The Official Blog of Mouser Electronics


Why SiC Devices Are Ideal for Level 3 EV Charging Applications Robert Huntley
Charging an EV can be a lengthy process, however, Level 3 “fast” DC charging techniques promise much faster charging capabilities that reduce charging times to minutes instead of hours. This efficiency relies on high-speed power conversion, for which new wide-bandgap technologies are well suited.

SiC Devices Usurp Si MOSFETs and Diodes in Servers, Motors, EVs Bill Schweber
Switching devices—both transistors and diodes—based on silicon-on-carbide (SiC) are redefining capabilities of power-related circuits. These offer far better efficiency and range than today’s best silicon-only MOSFETs, IGBTs, and diodes, and are already in widespread use in top-tier data centers and server farms.

All Authors

Show More Show More
View Blogs by Date

Archives

Tags