ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

STL220N6F7

Name: STMicroelectronics STL220N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL220N6F7
Price: 116.77 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

511-STL220N6F7

หมายเลข Mfr.:

STL220N6F7

Mfr.:

STMicroelectronics

คำอธิบาย:

MOSFETs N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

ทำให้การออกแบบของคุณสมบูรณ์แบบ

เอกสารข้อมูลสินค้า:

STL220N6F7 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ STMicroelectronics STL220N6F7

มีอยู่ในสต็อก: 771

สต็อก:: 771 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 22 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การบรรจุ:

ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 3000 จำนวนหลายชิ้น)

เทปตัด

MouseReel™ (+฿230.00)

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
เทปตัด / MouseReel™ ^†
	฿116.77	฿116.77
	฿76.04	฿760.40
	฿52.98	฿5,298.00
	฿45.05	฿22,525.00
	฿43.97	฿43,970.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 3000 จำนวนหลายชิ้น)
	฿41.81	฿125,430.00

† จะมีการคำนวณและเพิ่มค่าธรรมเนียม MouseReel™ จำนวน ฿230.00 ในรถเข็นสินค้าของคุณ ผลิตภัณฑ์ MouseReel™ ทุกรายการไม่สามารถยกเลิกการสั่งซื้อและคืนสินค้าได้ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	STMicroelectronics
ประเภทสินค้า:	MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	PowerFLAT-5x6-8
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	60 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	260 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	1.2 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 20 V, 20 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	2 V
Qg - ชาร์จเกต:	100 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	187 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
ยี่ห้อ:	STripFET
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
การบรรจุ:	MouseReel
เครื่องหมายการค้า:	STMicroelectronics
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ประเทศแหล่งประกอบ:	CN
ประเทศแหล่งกระจาย:	Not Available
ประเทศถิ่นกําเนิด:	CN
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	38ns
ประเภทสินค้า:	MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	43 ns
ระดับ:	STL220N6F7
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	3000
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 N-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	66 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	34 ns
น้ำหนักต่อหน่วย:	76 mg

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

STL220N6F7 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.