ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

STGWA50M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA50M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50M65DF2
Price: 185.97 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

511-STGWA50M65DF2

หมายเลข Mfr.:

STGWA50M65DF2

Mfr.:

STMicroelectronics

คำอธิบาย:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads

ทำให้การออกแบบของคุณสมบูรณ์แบบ

เอกสารข้อมูลสินค้า:

STGWA50M65DF2 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ STMicroelectronics STGWA50M65DF2

มีอยู่ในสต็อก: 692

สต็อก:: 692

สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ในการสั่งซื้อ:: 950
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 14

สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿185.97	฿185.97
	฿109.56	฿1,095.60
	฿90.82	฿9,082.00
	฿83.61	฿50,166.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	STMicroelectronics
ประเภทสินค้า:	IGBT
มาตรฐาน RoHS:
เทคโนโลยี:	Si
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	TO-247-3
รูปแบบการติด:	Through Hole
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO:	650 V
แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์:	1.65 V
ค่าสูงสุดของแรงดันที่เกตอิมิเตอร์:	- 20 V, 20 V
กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C:	80 A
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	375 W
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
ระดับ:	HB2
การบรรจุ:	Tube
เครื่องหมายการค้า:	STMicroelectronics
ตัวสะสมกระแสไฟ IC สูงสุดอย่างต่อเนื่อง:	80 A
ประเทศแหล่งประกอบ:	Not Available
ประเทศแหล่งกระจาย:	Not Available
ประเทศถิ่นกําเนิด:	CN
กระแสไฟรั่วระหว่างเกทและอิมิเตอร์:	250 uA
ประเภทสินค้า:	IGBT Transistors
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	600
หมวดหมู่ย่อย:	IGBTs
น้ำหนักต่อหน่วย:	6 g

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

STGWA50M65DF2 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower V_CE(sat) combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.