MR20H40CDF

Everspin Technologies
936-MR20H40CDF
MR20H40CDF

Mfr.:

คำอธิบาย:
MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI

เอกสารข้อมูลสินค้า:
โมเดล ECAD:
ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

มีอยู่ในสต็อก: 841

สต็อก:
841 สามารถจัดส่งได้ทันที
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:
26 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้
จำนวนขั้นต่ำ: 1   หลายรายการ: 1
หน่วยราคา:
฿-.--
ต่อ ราคา:
฿-.--
โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน หน่วยราคา
ต่อ ราคา
฿1,085.52 ฿1,085.52
฿1,005.16 ฿10,051.60
฿973.08 ฿24,327.00
฿949.29 ฿47,464.50
฿925.51 ฿92,551.00
฿894.51 ฿223,627.50
570 เสนอราคา

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์ ค่าแอตทริบิวต์ เลือกแอตทริบิวต์
Everspin Technologies
ประเภทสินค้า: MRAM
มาตรฐาน RoHS:  
DFN-8
SPI
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
20 ns
3 V
3.6 V
13.8 mA, 33 mA
- 40 C
+ 85 C
MR20H40
Tray
เครื่องหมายการค้า: Everspin Technologies
ประเทศแหล่งประกอบ: Not Available
ประเทศแหล่งกระจาย: Not Available
ประเทศถิ่นกําเนิด: TW
อ่อนไหวต่อความชื้น: Yes
รูปแบบการติด: SMD/SMT
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 600 mW
ประเภทสินค้า: MRAM
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน: 570
หมวดหมู่ย่อย: Memory & Data Storage
ยี่ห้อ: Serial I/O (SPI)
น้ำหนักต่อหน่วย: 37.400 mg
ผลิตภัณฑ์ที่พบ:
เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้
แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

เอกสารข้อมูลสินค้า

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
854232031
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.