MASTERGAN3TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN3TR
MASTERGAN3TR

Mfr.:

คำอธิบาย:
Gate Drivers High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

เอกสารข้อมูลสินค้า:
โมเดล ECAD:
ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

มีอยู่ในสต็อก: 461

สต็อก:
461 สามารถจัดส่งได้ทันที
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:
26 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้
จำนวนสินค้าที่มากกว่า 461 อาจถูกบังคับใช้ข้อกำหนดจำนวนขั้นต่ำในการสั่งซื้อสินค้า
จำนวนขั้นต่ำ: 1   หลายรายการ: 1
หน่วยราคา:
฿-.--
ต่อ ราคา:
฿-.--
โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:
การบรรจุ:
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 3000 จำนวนหลายชิ้น)

การตั้งราคา (THB)

จำนวน หน่วยราคา
ต่อ ราคา
เทปตัด / MouseReel™
฿246.51 ฿246.51
฿191.73 ฿1,917.30
฿179.84 ฿4,496.00
฿163.62 ฿16,362.00
฿163.26 ฿40,815.00
฿124.70 ฿124,700.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 3000 จำนวนหลายชิ้น)
฿118.21 ฿354,630.00
† จะมีการคำนวณและเพิ่มค่าธรรมเนียม MouseReel™ จำนวน ฿230.00 ในรถเข็นสินค้าของคุณ ผลิตภัณฑ์ MouseReel™ ทุกรายการไม่สามารถยกเลิกการสั่งซื้อและคืนสินค้าได้

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์ ค่าแอตทริบิวต์ เลือกแอตทริบิวต์
STMicroelectronics
ประเภทสินค้า: ตัวขับเกต
มาตรฐาน RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A, 6.5 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
MouseReel
เครื่องหมายการค้า: STMicroelectronics
ประเทศแหล่งประกอบ: Not Available
ประเทศแหล่งกระจาย: Not Available
ประเทศถิ่นกําเนิด: TH
อ่อนไหวต่อความชื้น: Yes
ประเภทสินค้า: Gate Drivers
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน: 3000
หมวดหมู่ย่อย: PMIC - Power Management ICs
เทคโนโลยี: GaN
ผลิตภัณฑ์ที่พบ:
เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้
แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.