MASTERGAN1L

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1L
MASTERGAN1L

Mfr.:

คำอธิบาย:
Gate Drivers 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

เอกสารข้อมูลสินค้า:
โมเดล ECAD:
ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

สินค้าพร้อมส่ง

สต็อก:
ไม่มีในสต็อก
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:
26 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณ
เวลารอสินค้าของผลิตภัณฑ์นี้มีระยะเวลานาน
จำนวนขั้นต่ำ: 1560   หลายรายการ: 1560
หน่วยราคา:
฿-.--
ต่อ ราคา:
฿-.--
โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:
ผลิตภัณฑ์นี้จัดส่งฟรี

การตั้งราคา (THB)

จำนวน หน่วยราคา
ต่อ ราคา
฿149.93 ฿233,890.80

ตัวเลือกอื่นสำหรับบรรจุภัณฑ์

Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน:
การบรรจุ:
Reel, Cut Tape
สินค้าพร้อมส่ง:
มีอยู่ในสต็อก
ราคา:
฿257.33
จำนวนขั้นต่ำ:
1

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์ ค่าแอตทริบิวต์ เลือกแอตทริบิวต์
STMicroelectronics
ประเภทสินค้า: ตัวขับเกต
มาตรฐาน RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
เครื่องหมายการค้า: STMicroelectronics
ประเทศแหล่งประกอบ: Not Available
ประเทศแหล่งกระจาย: Not Available
ประเทศถิ่นกําเนิด: TH
อ่อนไหวต่อความชื้น: Yes
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 40 mW
ประเภทสินค้า: Gate Drivers
ความล่าช้าในการแพร่กระจาย - สูงสุด: 70 ns
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน: 1560
หมวดหมู่ย่อย: PMIC - Power Management ICs
เทคโนโลยี: GaN
ผลิตภัณฑ์ที่พบ:
เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้
แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

เอกสารข้อมูลสินค้า

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.