FFSP1265A

onsemi
863-FFSP1265A
FFSP1265A

Mfr.:

คำอธิบาย:
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD

เอกสารข้อมูลสินค้า:
โมเดล ECAD:
ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD
ข้อมูลเพิ่มเติม
เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi FFSP1265A
Mouser ไม่ได้จำหน่ายสินค้านี้ในประเทศของคุณในขณะนี้

สินค้าพร้อมส่ง

สต็อก:

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์ ค่าแอตทริบิวต์ เลือกแอตทริบิวต์
onsemi
ประเภทสินค้า: ไดโอดชอตต์กี SiC
ข้อจำกัดในการจัดส่ง:
 Mouser ไม่ได้จำหน่ายสินค้านี้ในประเทศของคุณในขณะนี้
มาตรฐาน RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
12 A
650 V
1.5 V
70 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP1265A
Tube
เครื่องหมายการค้า: onsemi
ประเทศแหล่งประกอบ: CN
ประเทศแหล่งกระจาย: KR
ประเทศถิ่นกําเนิด: CN
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 115 W
ประเภทสินค้า: SiC Schottky Diodes
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน: 50
หมวดหมู่ย่อย: Diodes & Rectifiers
ยี่ห้อ: EliteSiC
Vr - แรงดันย้อนกลับ: 650 V
น้ำหนักต่อหน่วย: 2 g
ผลิตภัณฑ์ที่พบ:
เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้
แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

เอกสารข้อมูลสินค้า

PCN

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

Silicon Carbide Schottky Diodes

onsemi Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. SiC Schottky Diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.  onsemi offers 650V and 1200V devices in a range of current and package options, ideal for next-generation power system designs.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่ได้คาดการณ์ไว้


มีข้อสงสัยหรือไม่? โปรดไปที่ ศูนย์ความช่วยเหลือ
สําหรับคําถามเกี่ยวกับการสั่งซื้อที่เฉพาะเจาะจง โปรดเข้าสู่ระบบ บัญชีของคุณ

หากคุณพบปัญหาเพิ่มเติม โปรดติดต่อเราที่หมายเลข 800-346-6873 หรืออีเมล help@mouser.com