ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

กลับไปยังผลการค้นหา

ดูข้อผิดพลาดหรือไม่?

FFSP1065B

Name: onsemi FFSP1065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1065B
Price: 140.92 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

863-FFSP1065B

หมายเลข Mfr.:

FFSP1065B

Mfr.:

onsemi

คำอธิบาย:

SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 10A

เอกสารข้อมูลสินค้า:

FFSP1065B เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi FFSP1065B

มีอยู่ในสต็อก: 840

สต็อก:: 840 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 15 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿140.92	฿140.92
	฿71.72	฿717.20
	฿64.87	฿6,487.00
	฿54.42	฿54,420.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	onsemi
ประเภทสินค้า:	ไดโอดชอตต์กี SiC
มาตรฐาน RoHS:
รูปแบบการติด:	Through Hole
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	TO-220-2
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
If - กระแสทางตรง:	10 A
Vrrm - แรงดันย้อนกลับแบบวนซ้ำ:	650 V
Vf - แรงดันทางตรง:	1.38 V
Ifsm - กระแสเสิร์จทางตรง:	45 A
Ir - กระแสย้อนกลับ:	40 uA
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
ระดับ:	FFSP1065B
การบรรจุ:	Tube
เครื่องหมายการค้า:	onsemi
ประเทศแหล่งประกอบ:	Not Available
ประเทศแหล่งกระจาย:	Not Available
ประเทศถิ่นกําเนิด:	CN
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	75 W
ประเภทสินค้า:	SiC Schottky Diodes
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	50
หมวดหมู่ย่อย:	Diodes & Rectifiers
ยี่ห้อ:	EliteSiC
Vr - แรงดันย้อนกลับ:	650 V
น้ำหนักต่อหน่วย:	3.698 g

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

FFSP1065B เอกสารข้อมูลสินค้า

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.