ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

กลับไปยังผลการค้นหา

ดูข้อผิดพลาดหรือไม่?

FDMS86255

Name: onsemi FDMS86255
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86255
Price: 188.85 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

512-FDMS86255

หมายเลข Mfr.:

FDMS86255

Mfr.:

onsemi

คำอธิบาย:

MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

เอกสารข้อมูลสินค้า:

FDMS86255 เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi FDMS86255

มีอยู่ในสต็อก: 5,897

สต็อก:: 5,897

สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ในการสั่งซื้อ:: 9,000
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 43

สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

เวลารอสินค้าของผลิตภัณฑ์นี้มีระยะเวลานาน

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1 สูงสุด: 1510

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การบรรจุ:

ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 3000 จำนวนหลายชิ้น)

เทปตัด

MouseReel™ (+฿230.00)

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
เทปตัด / MouseReel™ ^†
	฿188.85	฿188.85
	฿124.70	฿1,247.00
	฿89.38	฿8,938.00
	฿85.41	฿42,705.00
	฿83.25	฿83,250.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 3000 จำนวนหลายชิ้น)
	฿83.25	฿249,750.00

† จะมีการคำนวณและเพิ่มค่าธรรมเนียม MouseReel™ จำนวน ฿230.00 ในรถเข็นสินค้าของคุณ ผลิตภัณฑ์ MouseReel™ ทุกรายการไม่สามารถยกเลิกการสั่งซื้อและคืนสินค้าได้ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	onsemi
ประเภทสินค้า:	MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
REACH - SVHC:
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	Power-56-8
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	150 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	45 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	25 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 20 V, 20 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	4 V
Qg - ชาร์จเกต:	63 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 150 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	113 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
ยี่ห้อ:	PowerTrench
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
การบรรจุ:	MouseReel
เครื่องหมายการค้า:	onsemi
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ประเทศแหล่งประกอบ:	Not Available
ประเทศแหล่งกระจาย:	Not Available
ประเทศถิ่นกําเนิด:	PH
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	12 ns
ประเภทสินค้า:	MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	10 ns
ระดับ:	FDMS86255
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	3000
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 N-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	45 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	34 ns
น้ำหนักต่อหน่วย:	56.500 mg

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

FDMS86255 เอกสารข้อมูลสินค้า

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.