ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

NVXK2VR80WDT2

Name: onsemi NVXK2VR80WDT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR80WDT2
Price: 1962.02 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

863-NVXK2VR80WDT2

หมายเลข Mfr.:

NVXK2VR80WDT2

Mfr.:

onsemi

คำอธิบาย:

MOSFET Modules APM32 SIC POWER MODULE

วัฏจักร:

ใหม่ที่ Mouser

เอกสารข้อมูลสินค้า:

NVXK2VR80WDT2 เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi NVXK2VR80WDT2

มีอยู่ในสต็อก: 60

สต็อก:: 60

สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ในการสั่งซื้อ:: 60
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 16

สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

เวลารอสินค้าของผลิตภัณฑ์นี้มีระยะเวลานาน

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

ผลิตภัณฑ์นี้จัดส่งฟรี

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿1,962.02	฿1,962.02
	฿1,630.81	฿16,308.10

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	onsemi
ประเภทสินค้า:	โมดูล MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
เทคโนโลยี:	SiC
รูปแบบการติด:	Through Hole
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	APM-32
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	6 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	1.2 kV
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	20 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	116 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	4.3 V
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	82 W
ระดับ:	NVXK2VR80WDT2
การบรรจุ:	Tube
เครื่องหมายการค้า:	onsemi
การกำหนดคุณสมบัติ:	3-Phase Bridge
ประเทศแหล่งประกอบ:	Not Available
ประเทศแหล่งกระจาย:	Not Available
ประเทศถิ่นกําเนิด:	CN
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	9 ns
ความสูง:	5.8 mm
ความยาว:	44.2 mm
ประเภทสินค้า:	MOSFET Modules
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	12 ns
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	10
หมวดหมู่ย่อย:	Discrete and Power Modules
ประเภท:	Power Module
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	21 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	12 ns
ความกว้าง:	29 mm

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

NVXK2VR80WDT2 เอกสารข้อมูลสินค้า

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules are 1200V, 80mΩ 3-phase bridge power modules housed in a Dual Inline Package (DIP). These SiC modules are compactly designed to have low total module resistance. The NVXK2VR80WxT2 power modules are automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. These power modules are lead-free and ROHS, UL94V-0 compliant. The NVXK2VR80WxT2 SiC modules' temperature sensing and the lowest thermal resistance make them ideal for PFC onboard chargers in xEV applications.