ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

IPLT60R055CM8XTMA1

Name: Infineon IPLT60R055CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPLT60R055CM8XTM
Price: 232.46 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

726-IPLT60R055CM8XTM

หมายเลข Mfr.:

IPLT60R055CM8XTMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

คำอธิบาย:

MOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

วัฏจักร:

สินค้าใหม่:

สินค้าใหม่จากผู้ผลิตนี้

เอกสารข้อมูลสินค้า:

IPLT60R055CM8XTMA1 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Infineon Technologies IPLT60R055CM8XTMA1

มีอยู่ในสต็อก: 500

สต็อก:: 500 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 2 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿232.46	฿232.46
	฿152.09	฿1,520.90
	฿112.08	฿11,208.00
	฿99.47	฿49,735.00
	฿87.94	฿87,940.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	Infineon
ประเภทสินค้า:	MOSFET
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	PG-HDSOP-16
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	650 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	48 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	55 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	20 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	4.7 V
Qg - ชาร์จเกต:	51 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 150 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	278 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
ยี่ห้อ:	CoolMOS
เครื่องหมายการค้า:	Infineon Technologies
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ประเทศแหล่งประกอบ:	Not Available
ประเทศแหล่งกระจาย:	Not Available
ประเทศถิ่นกําเนิด:	DE
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	7 ns
ประเภทสินค้า:	MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	6 ns
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 N-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	98 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	19 ns
นามแฝงของหมายเลขชิ้นส่วน:	IPLT60R055CM8 SP006162000

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

IPLT60R055CM8XTMA1 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.