ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

STGAP2SICS

Name: STMicroelectronics STGAP2SICS
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGAP2SICS
Price: 111 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

511-STGAP2SICS

หมายเลข Mfr.:

STGAP2SICS

Mfr.:

STMicroelectronics

คำอธิบาย:

Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

ทำให้การออกแบบของคุณสมบูรณ์แบบ

เอกสารข้อมูลสินค้า:

STGAP2SICS เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ STMicroelectronics STGAP2SICS

มีอยู่ในสต็อก: 788

สต็อก:: 788 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 25 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

เวลารอสินค้าของผลิตภัณฑ์นี้มีระยะเวลานาน

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿111.00	฿111.00
	฿83.25	฿832.50
	฿69.56	฿1,739.00
	฿66.67	฿6,667.00
	฿64.15	฿16,037.50
	฿62.35	฿31,175.00
	฿60.55	฿48,440.00
	฿58.75	฿141,000.00
	฿57.66	฿322,896.00

ตัวเลือกอื่นสำหรับบรรจุภัณฑ์

Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน:

STGAP2SICSTR

การบรรจุ:

Reel, Cut Tape, MouseReel

สินค้าพร้อมส่ง:

มีอยู่ในสต็อก

ราคา:

฿253.00

จำนวนขั้นต่ำ:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	STMicroelectronics
ประเภทสินค้า:	ตัวขับเกตแบบแยกกระแสไฟฟ้า
มาตรฐาน RoHS:
ระดับ:	STGAP2SICS
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	SO-8W
การแยกแรงดันไฟฟ้า:	5 kV
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 40 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 125 C
ความล่าช้าในการแพร่กระจาย - สูงสุด:	90 ns
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	30 ns
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	30 ns
การบรรจุ:	Tube
เครื่องหมายการค้า:	STMicroelectronics
การกำหนดคุณสมบัติ:	Non-Inverting
ประเทศแหล่งประกอบ:	Not Available
ประเทศแหล่งกระจาย:	Not Available
ประเทศถิ่นกําเนิด:	TW
อ่อนไหวต่อความชื้น:	Yes
จำนวนไดร์ฟเวอร์:	1 Driver
จำนวนขาออก:	1 Output
กระแสขาออก (1):	4 A
สินค้า:	Isolated Gate Drivers
ประเภทสินค้า:	Galvanically Isolated Gate Drivers
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	800
หมวดหมู่ย่อย:	PMIC - Power Management ICs
การจ่ายแรงดัน (สูงสุด):	5.5 V
การจ่ายแรงดัน (ต่ำสุด):	3 V
เทคโนโลยี:	SiC
ประเภท:	Half-Bridge
น้ำหนักต่อหน่วย:	150 mg

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

STGAP2SICS เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

STGAP2SiCD Galvanically Isolated Dual Gate Driver

STMicroelectronics STGAP2SiCD Galvanically Isolated 4A Dual Gate Driver is designed for galvanic isolation between each gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry. The STGAP2SiCD gate driver is defined by 4A current capability and rail-to-rail outputs, ideal for mid and high power applications such as power conversion and industrial motor drivers inverters.

STGAP2SICS Single Gate Drivers

STMicroelectronics STGAP2SICS Single Gate Drivers provide galvanic isolation between the gate driving channel, low voltage control, and interface circuitry. The gate drivers are characterized by 4A capability and rail-to-rail outputs, making the devices suitable for mid and high-power applications such as power conversion and motor driver inverters in industrial applications. The device is available in two different configurations. The configuration with separated output pins (STGAP2SICSTR) allows users to optimize turn-on and turn-off using dedicated gate resistors independently. The configuration featuring a single output pin and Miller CLAMP function (STGAP2SICSCTR) prevents gate spikes during fast commutations in half-bridge topologies. Both configurations provide high flexibility and a bill of material reduction for external components.